半导体表面检测
利用紫外成像观察抛光痕、晶体缺陷、台阶与空洞等细微表面特征。
LUCID Atlas10 UV · 10GigE 紫外相机
Sony IMX487 · 8.1 MP · 200–400 nm UV · 10GigE PoE+
Atlas10 UV 为 10GigE PoE+ 工业相机，搭载 Sony IMX487，可采集 200–400 nm 紫外波段（亦覆盖可见光响应），全分辨率约 136.8 fps。
产品介绍
Atlas10 UV 是一款 10GigE 紫外工业相机，搭载 Sony IMX487 8.1 MP 全局快门传感器，面向 200–400 nm 紫外成像。支持 PoE+、M12 网络接口及 M8 I/O，适用于半导体检测、透明材料分选和紫外放电观测。
关键成像性能
分辨率
2840 × 2840
8.1 MP
最高帧率
136.8 fps
10-bit ADC，全分辨率
时间暗噪声
2.51 e⁻
EMVA 1288
动态范围
69.84 dB
EMVA 1288
饱和容量
9,662 e⁻
EMVA 1288
ATX081S-UC 规格参数
| 规格参数 | 参数值 |
|---|---|
| 型号 | ATX081S-UC |
| 图像传感器 | Sony IMX487 CMOS（Pregius S，背照式） |
| 快门类型 | 全局快门 |
| 传感器尺寸 | 11.1 mm（2/3 英寸） |
| 分辨率 | 2840 × 2840 · 8.1 MP |
| 像元尺寸 | 2.74 × 2.74 µm |
| 帧率 | 8-bit ADC：135.6 fps；10-bit ADC：136.8 fps；12-bit ADC：126.1 fps（全分辨率） |
| ADC 位深 | 8 / 10 / 12 bit（8-bit 模式噪声约增加 4 倍） |
| 图像格式 | Mono 8 / 10 / 12 / 16 bit |
| 曝光时间 | 5.05 µs–10 s（普通模式）；2.23–2.47 µs（短曝光模式） |
| 增益范围 | 0–48 dB（模拟与数字） |
| 数字接口 | 10GBASE-T、5GBASE-T、2.5GBASE-T、1000BASE-T、100BASE-TX；10G 短距离模式最长 25 m |
| 连接器 | M12 X-coded（以太网）；8 针 M8（GPIO） |
| 传输协议 | UDP（GigE Vision）、TCP、RDMA（RoCE v2） |
| GPIO | 1 路光耦隔离输入、1 路光耦隔离输出、2 路非隔离双向 I/O |
| 供电 | PoE+（IEEE 802.3at）或经 GPIO 输入 12–24 V DC（±5%） |
| 功耗 | PoE+ 供电低于 12 W；外部供电时 11.5 W |
| 图像缓存 | 380 MB |
| 图像处理 | 增益、伽马、黑电平、白平衡、LUT、色彩校正矩阵（CCM）、像素校正、色彩空间转换 |
| 图像模式 | 水平 / 垂直合并、抽取、ROI、水平 / 垂直翻转 |
| 相机功能 | 1 组默认及 2 组自定义用户设置；16 MB 文件系统；帧计数器、ROI、曝光、增益等 Chunk 数据；曝光开始 / 结束事件；2 个计数器与 2 个定时器；曝光与增益序列 |
| 触发与同步 | 软件触发、硬件触发、PTP（IEEE 1588） |
| 镜头接口 | C-mount |
| 外形尺寸 | 55 × 55 × 95.5 mm |
| 重量 | 325 g |
| 工作温度 | −20 至 +50 °C（环境温度） |
| 储存温度 | −30 至 +60 °C |
| 工作湿度 | 20%–80% RH，无冷凝 |
| 抗冲击与振动 | DIN EN 60068-2-27、DIN EN 60068-2-64 |
| 工业电磁兼容 | DIN EN 61000-6-1；ESD 4 kV |
| 标准与认证 | GigE Vision 3.0（需更新相机固件）；CE、KC、FCC、RoHS、REACH、WEEE |
| 质保 | 3 年 |
IMX487 UV Sensitive Sensor QE
典型应用
透明材料分选
依据材料在紫外波段的透射差异，辅助区分 PMMA、聚苯乙烯及玻璃等材料。
电气设备放电检测
捕捉高压设备电晕和局部放电产生的紫外信号，用于故障定位与状态监测。